P600科研型分子束外延系统

关键指标：

◆可移动的源法兰和上下分体式冷屏

◆可配备12个源口

◆冷屏可在1个工作日内更换

◆可用于外延生长GaAs, GaSb, InP, CdTe, HgCdTe, ZnO and GaN材料

◆适用于用于4”, 3”，2”衬底尺寸

介绍：

P600科研型MBE配有垂直生长室，生长室有12个泄流源或者其它源的接口。

P600型MBE可配有手动线性晶片传递系统，也可配有全自动的中心分配室(CDC)实现全自动的晶片传递。

P600型MBE生长室配有可移动的源法兰。该设计把生长室分成上下两部分，可彻底的清理冷屏上的沉积物。生长室的冷屏具有非常大的表面积和容积，确保在生长的过程中能够快速从砷源切换到磷源。