Flex ion 200/400中束流离子注入设备
> 注入离子能量200KeV或400KeV双电荷注入可达到800KeV三电荷注入可达到1200KeV> IHC离子源> 扩大的注入离子装载能力 可同时配有4个2.2L气罐 可配有4路惰性气路> 注入离子的原子质量可达到218AMU> 同时具备所有IMC的特点
所属分类:
半导体
离子注入设备
案例详情
◆注入离子能量200KeV或400KeV双电荷注入可达到800KeV
◆三电荷注入可达到1200KeV
◆IHC离子源
◆扩大的注入离子装载能力
◆可同时配有4个2.2L气罐
◆可配有4路惰性气路
◆注入离子的原子质量可达到218AMU
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