Flex ion 200/400中束流离子注入设备

> 注入离子能量200KeV或400KeV双电荷注入可达到800KeV三电荷注入可达到1200KeV> IHC离子源> 扩大的注入离子装载能力可同时配有4个2.2L气罐可配有4路惰性气路> 注入离子的原子质量可达到218AMU> 同时具备所有IMC的特点

所属分类：

半导体

离子注入设备

案例详情

◆注入离子能量200KeV或400KeV双电荷注入可达到800KeV

◆三电荷注入可达到1200KeV

◆IHC离子源

◆扩大的注入离子装载能力

◆可同时配有4个2.2L气罐

◆可配有4路惰性气路

◆注入离子的原子质量可达到218AMU

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