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PULSION 等离子浸没式等离子注入设备

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PULSION 等离子浸没式等离子注入设备

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功能概述
技术指标
安装条件

技术特色

◆超低能量、超高剂量:能量低至20eV(Option)、剂量1E14-1E18 at/cm3

◆占地面积小,节省空间:占地面积比普通的线束离子注入节约50%

◆易于工艺整合:兼容标准的PR剥离,可靠的计量控制,沉积和刻蚀控制,

◆无能量污染

◆更灵活:适用范围广,从小样片到300mm的晶圆, 同时适用于3D结构样片

 

应用举例

◆S/D 或 多晶硅掺杂(DRAM、FLASH)

◆3D掺杂:如FINFET、沟槽

◆大功率器件的背接触掺杂

◆CMOS图像传感器、光电二极管、UV探测器

◆太阳能电池:可提高电池的转换效率

◆材料的表面处理:如增强材料表面的硬度、附着力、抗腐蚀及耐磨性等

◆材料改性:如硅纳米晶合成、渗氮、氢化

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