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半导体
产品内容
◆可以操作晶圆盒和直接操作晶圆舟◆对晶圆盒或晶圆匣中的晶圆进行定位和扫描◆晶圆斜片刻痕检测◆自动从晶圆盒中拾取晶圆◆先进的4轴机械臂，包括马达驱动的反转器◆智能视觉晶圆定位◆智能晶圆ID读取◆SEC-GEMS兼容
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◆兼容FOSB和FOUP◆真空叉形机械手和伯努利式机械手(选项)◆智能视觉晶圆定位◆晶圆ID光学字符识别(选项)◆晶圆背面大缺陷检测◆可集成显微镜检查(选项)◆可兼容晶圆输送盒(选项)
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Plasmaimmersionionimplantationisaversatileprocesstechnologywithwideapplicationsinmicroelectronicsprocessing&materialsengineering.Offers× Simultaneousimplantationofthefullwafer× Ultralowenergy(downto30
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> 注入离子能量200KeV或400KeV双电荷注入可达到800KeV三电荷注入可达到1200KeV> IHC离子源> 扩大的注入离子装载能力 可同时配有4个2.2L气罐 可配有4路惰性气路> 注入离子的原子质量可达到218AMU> 同时具备所有IMC的特点
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TheIMCseriesaddressesthelackofmodernequipmentfornewtypeofproductionimplantsandadvancedresearch. TheIMCtoolhasbeendesignedtobeeasytouse, easytomaintain,andwithhighreliability.Offers× Upto4activegasli
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可移动的源法兰和上下分体式冷屏 可提供两套冷屏 冷屏可在2个工作日内更换 可用于外延生长GaAs, GaSb, InP, GaN材料 适用于用于4×4”, 7×3”, 1 x 200 mm, 1×6” and 14×2”衬底尺寸
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可移动的源法兰和上下分体式冷屏、 可配备12个源口、 冷屏可在1个工作日内更换、 可用于外延生长GaAs, GaSb, InP, CdTe, HgCdTe, ZnO and GaN材料、 适用于用于4”, 3”，2”衬底尺寸
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